Park NX-Mask是一款用于修复高端EUV光罩的创新型机台。 Park NX-Mask 采用崭新的原子力显微镜技术，配有新一代的 光罩修复系统，用于解决随着器件尺寸缩小和光罩复杂性 增加带来的新式挑战。从自动缺陷检测到缺陷修复再到修复验证的 一站式解决方案为您提供了专业高速的修复效率， 让您的研究工作事半功倍。
在半导体行业中，光掩模修复对于修复EUV光刻中的缺陷至关重要，这些缺陷会阻碍精确的印刷。传统的修复方法如电子束（E-Beam）或激光由于束大小的限制，有损坏EUV掩模精细图案的风险。此外，这些系统缺乏自动化，难以集成到在线流程中。Park Systems通过其先进的AFM光掩模修复技术解决了这些挑战，提供了一种全面的解决方案，用于自动缺陷检查、无损修复和修复验证，从而提高了修复效率和产量。
Revolutionizing photomask repair, the Park NX-Mask system addresses the challenges of shrinking device sizes and increasing photomask complexity with its advanced AFM technology. It precisely removes defects without the damage risks associated with E-beam or laser systems, maintaining the integrity of the reflective surface and patterns. With a unique depth control of ±7.5 µm, NX-Mask efficiently handles various defect types and integrates smoothly into in-line processes for quick repairs.
Park NX-Mask 提供了针对在线生产优化的解决方案，具有专门设计用于处理EUV掩模的自动化双仓设计。利用AFM技术，它确保了任何缺陷类型的无缝修复，提供包括自动缺陷检查、缺陷修复和修复过程验证在内的一体化解决方案。此外，其自动化双仓设计简化了在线生产环境中EUV掩模的处理，提高了整个过程的效率和精度。
来自EUV光源的锡（Sn）颗粒等碎片可能会到达光掩模并降低光反射率。Park NX-Mask 利用其验证过的纳米机械AFM技术，以完全安全的方式找到并去除多余颗粒和复杂的图案缺陷。与传统的光掩模修复系统不同，Park NX-Mask 在执行修复时不会对掩模表面造成任何损害或扰动。
光掩模缺陷是由环境中的异物或错误的图案处理引起的。在高端光掩模上最常见的缺陷是EUV光刻过程中产生的锡颗粒。Park NX-Mask 的AFM纳米机械方法提供了许多优点，这些优点对于光掩模修复来说是完全安全且优越的。
Park NX-Mask为在线生产提供优化解决方案，具有专为处理EUV掩模而设计的自动双舱设计。利用AFM技术，它确保任何类型缺陷的无缝修复，提供包括自动缺陷检查、缺陷修复和修复过程验证在内的一体化解决方案。此外，其自动双舱设计简化了在线生产环境中EUV掩模的处理，提高了整个过程的效率和精度。
Park NX-Mask 首先使用其专有的非接触式AFM技术进行调查扫描以定位缺陷，该方法提供了最安全的扫描方式。通过调查扫描，Park NX-Mask 可以了解缺陷的数量和精确位置，以及每个颗粒和故障的信息。修复后，Park NX-Mask 使用我们的非接触式AFM技术进行修复后验证，生成纳米级3D地形图以及表面粗糙度等其他关键计量数据。
